اين اختراع عبارت است از يك دبي سنج جريان سيالات كه عنصر اصلي حسگر آن تجمعات انعطاف¬پذير از نانو مواد مغناطيسي است كه نسبت به هر گونه فشار مكانيكي بر سطح خود حساس بوده و باعث ايجاد تغييراتي در ميدان مغناطيسي خود مي شوند. عبور سيالات از روي سطح اين تجمعات و اعمال نيروي حاصل از عبور سيال به اين تجمعات و تغيير ميزان ميدان مغناطيسي اين تجمعات توسط يك مغناطيس¬سنج اندازه¬گيري مي شود و پس از پردازش به صورت سيگنال ديجيتال نمايش داده مي¬شود. ويژگي اصلي اين اختراع در نحوه ساخت تجمعات مغناطيسي انعطاف پذير است كه به طريقه خود آرايي در ميدان مغناطيسي خارجي تهيه شده اند.

به لايه هاي با ضخامت كمتر از 1000nm لايه نازك اطلاق مي شود ذخيره اطلاعات بر روي لايه هاي نازك مغناطيسي تكنولوژي نسبتا جديدي است كه امكان ذخيره حجم بالاتري از اطلاعات را با هزينه كمتر فراهم مي آورد. هگزا فريبت باريم BaFe12o19 BaM in short به دليل دارا بودن ناهمسانگردي مغناطيسي بالا ، پايداري شيميايي و مكانيكي و همچنين خواص مغناطيسي سخت از جمله گزينه هاي مناسب براي محيط هاي ذخيره اطلاعات با دانسيته ذخيره اطلاعات بالا است. در محيط هاي ذخيره اطلعات با دانسيته ذخيره اطلاعات بالا بايد هم پسماند زدايي مغناطيسي بايد بالاتر از 3koe باشد و هم بيت هاي اطلاعاتي به شكل عمود بر سطح ديسك ذخيره شوند. بنابراين توليد لايه هاي نازك مغناطيسي با ساختار نانومتري افزايش دانسيته اطلاعات را به دنبال خواهد داشت. براي اولين بار طي يك فرايند تركيبي با قابليت توليد نيمه صنعتي و ارزان موفق به توليد لايه هاي نازك هگزافريت باريم با خواص مغناطيسي مورد نظر شديم به طوري كه خلوص بالاتر، كنترل دقيق بر روي تركيب شيميايي صرفه اقتصادي و تجهيزات ساده مورد نياز از جمله مزاياي اين روش هستند. اين فرايند تركيبي شامل 5 مرحله است و نمونه هاي توليد شده به اين روش با دستگاه هواي آناليز مورد بررسي قرار گرفتند و دستيابي به خواص مورد نظر مورد تاييد قرار گرفت.